Моделирование полупроводниковых приборов

Рис.1. Схема светодиода на основе InGaN/GaN гетероструктуры.

Анализ и оптимизация перспективных полупроводниковых приборов нового поколения на основе нитридов III группы - светодиодов, лазеров, транзисторов, диодов Шоттки, фотодетекторов и др.:

• расчет зонной диаграммы и характеристик светодиодных и лазерных гетероструктур
• расчет растекания тока в приборах с реальной геометрией контактов
• анализ транспорта носителей и излучения света в короткопериодных сверхрешетках

Учитываются специфические свойства нитридов, такие как спонтанная поляризация и сильный пьезоэффект, низкая активация акцепторов и сильная безызлучательная рекомбинация на дислокациях.