Моделирование газофазной эпитаксии

Софт-Импакт осуществляет анализ и оптимизацию процессов роста полупроводниковых эпитаксиальных слоев и гетероструктур для микро- и оптоэлектронных приборов на основе оригинальных моделей, описывающих физические и химические процессы с использованием специально разработанных программных пакетов. Проводимые расчеты покрывают широкий спектр явлений – от гидродинамики течения газа до кинетики атомов на ростовой поверхности – и технологий:

Металл-органической газофазной эпитаксии (МОС-ГФЭ) cоединений типа AIII-BV и нитридов III группы
Молекулярно-пучковой эпитаксии соединений типа AIII-BV и нитридов III группы
Хлоридной-гидридной газофазной эпитаксии (ХГФЭ) соединений типа AIII-BV и нитридов III группы
Эпитаксия кремния и кремний-германия
Эпитаксия карбида кремния