Моделирование процессов химического осаждения из газовой фазы

Проводимый нашей компанией консалтинг в области химического осаждения из газовой фазы соединений типа AIIIBV включает моделирование Металлорганической Газофазной Эпитаксии (МОГФЭ), Молекулярно-Пучковой Эпитаксии полупроводников типа AIIIBV и нитридов III группы, а также моделирование Хлоридной-Гидридной Газофазной Эпитаксии (ХГФЭ) нитридов III группы. Консалтинг проводится с помощью моделей химических и физических явлений лежащих в основе ГФЭ, а также специально разработанных вспомогательных программ. Численное моделирование включает в себя весь спектр явлений, характерных для процесса осаждения – от динамики течения в реакторе до кинетики адсорбированных атомов на ростовой поверхности.