Консалтинг

Мы предлагаем широкий спектр услуг в области моделирования процессов роста кристаллов и эпитаксии полупроводниковых материалов, разработки приборов на их основе.

Наши услуги базируются на созданных специалистами компании оригинальных моделях физических процессов и собственном программном обеспечении.

Вы можете заказать нам проектирование ростового оборудования и оптимизацию технологических процессов полупроводникового производства для следующих процессов:

• рост объемных кристаллов из расплава (Si, Ge, SiGe, GaAs, InP, сапфир, оптические кристаллы);
• сублимационный рост SiC, AlN, GaN;
• газофазная эпитаксия кремний-содержащих материалов (Si, SiC, SiGe), соединений А3В5 и нитридов III-й группы;

а также

• разработку приборов на основе InGaAlN гетероструктур.

Мы готовы участвовать в исследовательских проектах, направленных на создание материалов нового типа и разработку новых технологий для полупроводниковой промышленности.