8-13 августа 2010 СИ принял участие в 16-й Международной конференции по росту кристаллов (ICCG-16) в Пекине, Китайская Народная Республика.
http://iccg16.tipc.cn/

Был представлен доклад:
Моделирование турбулентных течений расплава кремния при росте кремния методом Чохральского с использованием нового подхода к моделированию турбулентного теплопереноса.

 

16-21 мая 2010 СИ принял участие в 8-м Международном симпозиуме по полупроводниковым светоизлучающим диодам (ISSLED 8) в Пекине, Китайская Народная Республика.
http://www.huiyee.com/event/bdwl/index.html

Был представлен доклад:
Indium Incorporation and Optical Transitions in Strained InGaN Bulk Materials and Quantum Wells with Arbitrary Polarity, M. Durnev, A. Omelchenko, I. Evstratov, S. Karpov

 

1–3 февраля 2010 года, Москва СИ принял участие в 7-й Всероссийской конференции «НИТРИДЫ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ И АЛЮМИНИЯ – СТРУКТУРЫ И ПРИБОРЫ» проводившейся совместно МГУ им. М.В.Ломоносова и ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН,
http://nitrides-conf.ioffe.ru/Program_III-N_2010.pdf

Был представлен доклад: Моделирование мощных светодиодных чипов: сравнительный анализ перспективных конструкций С.Ю. Карпов, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, М.В. Богданов, М.С. Рамм, И.Ю. Евстратов

 

14 мая, 2007

СИ планирует принять участие в предстоящей конференции "Кремний-2007": Четвертая Российская конференция с международным участием по физике, материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе - 3-7 июля 2007, Московский государственный институт стали и сплавов, Москва (Россия).
Отправлены тезисы:

1. Оптимизация тепловых узлов для выращивания кристаллов кремния по методам Чохральского и Бриджмена с помощью численного моделирования. В.В. Калаев.
2. Зависимость интегральных характеристик Siemens-реактора от параметров процесса. От трёхмерного к одномерному подходу Д.С. Бровин, А.А. Ловцюс

 

6 марта , 2007

Софт-Импакт принял участие в 5й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы", 31 января-2 февраля 2007, Москва (Россия)
Нами были представлены четыре доклада:

1. 1)ГИБРИДНЫЕ II-O/III-N СВЕТОДИОДЫ: СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И АНАЛИЗ ФИЗИЧЕСКИХ МЕХАНИЗМОВ РАБОТЫ К. А. Булашевич, И. Ю. Евстратов, С. Ю. Карпов
2. 2) ИСПОЛЬЗОВАНИЕ БАРЬЕРА С ГРАДИЕНТОМ СОСТАВА ДЛЯ ПОДАВЛЕНИЯ УТЕЧКИ НОСИТЕЛЕЙ ИЗ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР К. А. Булашевич, С. Ю. Карпов, Р.А. Сурис
3. 3) МОДЕЛЬ ЛЕГИРОВАНИЯ p-ТИПА ПРИ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ GaN, Е.В. Яковлев, С.Ю. Карпов, Р.А. Талалаев
4. 4) ВЛИЯНИЕ ПАРАЗИТНЫХ РЕАКЦИЙ НА MOC-ГИДРИДНОЕ ОСАЖДЕНИЕ AlGaN, А.В. Лобанова, Е.В. Яковлев, Р.А. Талалаев

 

24 апреля, 2006

«Софт-Импакт» принял участие в форуме «Дни российской экономики» проходившем в Финляндии. Компания представила более 10 программных продуктов для моделирования роста кристаллов, эпитаксиальных структур, электронных и оптоэлектронных приборов, выпускаемых под брендом STR (www.semitech.us). Также был представлен учебный комплекс «Разработка интегрированной учебно-исследовательской программной среды для решения задач современной электроники и оптоэлектроники», развивающийся в рамках нового направления – адаптация коммерческих программ под учебные курсы для студентов, аспирантов, и стажеров компаний полупроводниковой промышленности при поддержке Фонда содействия развитию МП НТС и включающий программы для моделирования светодиодов, мощных транзисторов и полупроводниковых лазеров.
 

25 марта, 2006

Новый проект ООО «Софт-Импакт» под названием «Разработка интегрированной учебно-исследовательской программной среды для решения задач современной электроники и оптоэлектроники» прошел конкурс и получил финансовую поддержку Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере (Решение конкурсной комиссии Фонда содействия от 15.12.2005г.). Проект будет выполняться в рамках Федеральной целевой научно-технической программы «Информационно-телекоммуникационные системы». Срок завершения работ по проекту - 31 мая 2007г.
 

15 августа, 2005

Софт-Импакт примет участие в 6 международной конференции по нитридным полупроводникам (ICNS 6), которая пройдёт в Бремене, с 28 августа по 2 сентября, со следующими докладами:

1. Modelling and Experimental Analysis of InGaN MOVPE in the Aixtron AIX 200/4 RF-S horizontal reactor;
2. Analytical model for the quantum-confined Stark effect including electric field screening by non-equilibrium carriers;
3. Current crowding effects on visible and UV LED operation;
4. A surface trap model and its application to analysis of III-nitride HEMT performance;
5. On the impact of gas phase nucleation on the pressure dependence of nitride MOVPE growth in close coupled showerhead and planetary reactors;
6. On the role of hydrogen in GaN MOVPE.

 

Софт-Импакт примет участие в ХI Национальной конференции по росту кристаллов, проводимой Институтом кристаллографии имени А.В.Шубникова РАН в Москве с 14 по 17 декабря 2004г. с 4-мя докладами:
1. «Моделирование сублимационного роста AlN» А.С.Сегаль, Д.С.Базаревский, М.В.Богданов, Л.Л. Куандыков, Д.Х. Офенгейм, М.С. Рамм, Ю.Н. Макаров
2. «Трехмерное численное моделирование турбулентной конвекции газа в ростовой установке дл выращивания кристаллов фосфида индия из-под флюса по методу Чохральского» Е.Н.Быстрова , В.В.Калаев
3. «Оптимизация выращивания кристаллов кремния по методу Чохральского с помощью численного моделирования» В.В.Калаев, Ю.Н.Макаров.
4. «Трехмерное численное моделирование теплообмена в установке для выращивания пластин сапфира по методу ГНК», К.В.Ходосевич, М.А.Луканина, В.В.Калаев, В.Б.Семенов, В.Н.Сытин.
 

Три стендовых и один устный доклад представит Софт-Импакт на Пятой Европейской Конференции по Карбиду Кремния (ECSCRM 2004), которая пройдёт в Италии:
1. Detailed Modeling Analysis of PVT Growth of AlN Bulk Crystals (стендовый)
2. Modeling of Mass Leakage through Porous Crucible in PVT Growth of Bulk SiC Crystals (стендовый)
3. Threading dislocation evolution in bulk crystals grown by PVT (устный)
4. Two-dimensional Model of the Conjugate Unsteady Heat and Mass Transport in the Isothermal Chemical Vapour Infiltration of 3D-preform by SiC Matrix (стендовый)
 

Софт-Импакт принял участие в конференции "Кремний - 2004", которая состоялась в Иркутске с 5 по 9 июля 2004г. Мы представили там 2 устных доклада:
1. "Численное моделирование и оптимизаци выращивания кристаллов кремния по методу Чохральского"
2. "Моделирование роста кремния из хлоросилана"
 

Софт-Импакт примет участие в международном симпозиуме по нитридным полупроводникам "IWN 2004", который состоится в Питтсбурге, США, с 19 по 23 июля.
 

Софт-Импакт принял участие в 12-й международной конференции по газофазной эпитаксии из металорганических соединений (ICMOVPE-XII), проходившей на Гаваях с 30 мая по 4 июня. Мы представили два совместных стендовых доклада.